Савкіна, Р. К.     Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті [Текст] / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 7. - С. 70-78. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури і перетворення--Кристалічні та інші структури    Електроніка--Електронні напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Ультразвук -- Кавітація акустична -- Тиск акустичний -- Оптоелектроніка -- Рідина кріогенна Анотація: Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів ультразвуком, енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості. Дод.точки доступу: Смірнов, О. Б.