Форма документа : Стаття із журналу Шифр видання : Автор(и) : Баранський П. І., Гайдар Г. П. Назва : Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С.64-69 (Шифр Д134480/2012/10) Примітки : Бібліогр. в кінці ст. ББК : 31.2 Предметні рубрики: Електрична енергія-- Передача електричної енергії-- Напівпровідники Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому і в сильно деформованому кристалі з поперечною фононною компонентою. Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П.