Пошуковий запит: (<.>K=НАПІВПРОВІДНИКИ<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 24
Показані документи с 1 за 20 |
|
>1. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Радченко, А. І. Революційні інновації у світі (за даними звіту медіакомпанії Thomson Reuters, 2016 р.) [Текст] / А. І. Радченко> // Наука та інновації. - 2016. - № 6. - С. 69-74
Рубрики: Аерокосмічна і оборонна промисловість--Автомобільна промисловість--Біотехнології--Косметика і здоров'я Харчова промисловість--Побутова техніка--Інформаційні технології--Медичне обладнання Нафта і газ--Фармацевтика--Напівпровідники--телекомунікації Анотація: У цьогорічному звіті наведено порівняння кількості публікацій та патентів 2015 і 2014 рр., вказано тенденцію за останні 7 років
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>2. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Сафонов, Андрей Высококачественный УМЗЧ типа цирклотрон [Текст] / Андрей Сафонов> // Радиоаматор. - 2018. - № 1/2. - С. 6-9 : рис.
Рубрики: Відеотехніка--Звукотехніка Радіоапаратура--Електронна апаратура Кл.слова (ненормовані): напівпровідники -- підсилювачі -- транзистори -- трансформатори Анотація: В статье описывается УМЗЧ, который относится к классу так называемых "цирклотронов" - симметрических усилителей с выходным каскадом на элементах одного типа проводимости. В данном случае УМЗЧ выполнен на основе полевых транзисторов с горизонтальной структурой.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>3. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Шерстюк, Николай. Однопереходной транзистор [Текст] / Николай Шерстюк, Игорь Безверхний> // Радиоаматор. - 2017. - № 2. - С. 32-35 : рис.
Рубрики: Радіоелектронна апаратура--Транзистори Кл.слова (ненормовані): тиристори -- конденсатори -- напівпровідники Анотація: Однопереходные транзисторы в 60-80-е годы прошлого века использовались в импульсной и измерительной технике. Позже они начали вытесняться более современными электронными компонентами и схемотехническими решениями. Авторы статьи надеются, что их статья восполнит этот пробел у начинающих радиолюбителей и напомнит более опытным коллегам о существовании этих приборов.
Дод.точки доступу: Безверхний, Игорь Є примірники у відділах:
всього 2 : ВА (1), ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВА (1), ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>4. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Васильев, Игорь. Новые IGBT для аппаратов аргонодуговой сварки и не только [Текст] / И. Васильев> // Радиоаматор. - 2016. - № 7/8. - С. 27 : фот.
Рубрики: Зварювання--Інтегральні мікросхеми--Напівпровідники Кл.слова (ненормовані): інтегральні схеми -- резистори -- діоди -- транзистори Анотація: В этой статье представлены модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), которые рассчитаны, в первую очередь, на применение в схемах современных аппаратов аргонодуговой (TIG) сварки.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>5. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Кашкаров, Андрей. Тензорезисторы [Текст] / Андрей Кашкаров> // Радиоаматор. - 2016. - № 11/12. - С. 14-17 : рис.
Рубрики: Радіоелектронна апаратура Кл.слова (ненормовані): напівпровідники -- давачі -- перетворювачі частоти Анотація: В статье рассматриваются конструктивные особенности и основные параметры такого датчика для измерения величины механической деформации, как тензорезисторы.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>6. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Васильев, И. Мощные высоковольтные полупроводники от IXYS в SMD-корпусах [Текст] / Игорь Васильев> // Радіоаматор. - 2013. - № 6. - С. 27 : рис.
Рубрики: Електронні пристрої Кл.слова (ненормовані): напівпровідникові прилади -- силові напівпровідники -- електронні компоненти Анотація: IXYS Corporation, лидер в производстве силовых полупроводников и IC-технологии для энергоэффективных продуктов, используемых в сфере преобразования энергии и устройствах управления электродвигателями, объявил о запуске изделий в корпусах с более высоким током утечки D2-Pak (TO-263) и D3-Pak (TO-268). Что позволяет использовать компоненты для поверхностного монтажа (SMD) в силовых полупроводниковых приборах с более высоким напряжением.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>7. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Хмара, В. А. Пробник диодов [Текст] / В. А. Хмара> // Радіоаматор. - 2011. - №4 . - С. 47-50 : рис.
Рубрики: Діоди Кл.слова (ненормовані): напівпровідники -- індикатор -- світлодіод Анотація: Эта разработка была выполнена в кружке радиоконструирования Житомирского городского центра научно-технического творчества учащейся молодежи, как решение одной из семнадцати задач ХIII Всеукраинского открытого турнира юных изобретателей и рационализаторов 2010г. Статья будет полезна руководителям радиокружков и начинающим радиолюбителям.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>8. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Сафонов, Андрей. Ретро УМЗЧ для головных телефонов [Текст] / Андрей Сафонов> // Радиоаматор. - 2019. - № 7/8. - С. 6-9 : рис.
Рубрики: Відеотехніка--Електронне обладнання--Телефонні апарати Кл.слова (ненормовані): транзистор -- підсилювач -- резистор -- радіоприймач -- напівпровідники Анотація: В статье описывается УМЗЧ для головных телефонов выполненный на германиевых полупроводниковых приборах произведенных в СССР в 1970-е годы.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>9. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Гайдар, Г. П. До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристографічних напрямках 110 [Текст] / Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2019. - № 5. - С. 67-74. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники Кристалографія--Кристалічні грати Кл.слова (ненормовані): Тиск гідростатичний -- Германій -- Кремній -- Велетроніка Анотація: У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розрахувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>10. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Казаков, Анатолий. Моделирование областей сосуществования фаз в твердых растворах In x Ga 1-x AsyP 1-y с использованием различных термодинамических моделей [Текст] / А. Казаков, Г. Шаповалов> // Технічні науки та технології : науковий журнал. - 2016. - № 3. - С. 96-103 : рис. - Библиогр.: с. 101-103
. - ISSN 2411-5363 Рубрики: Зварювання--Комп"ютерне моделювання Кл.слова (ненормовані): вільна енергія -- модульовані структури -- напівпровідники
Дод.точки доступу: Шаповалов, Геннадий Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>11. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Гайдар, Г. П. Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge As під впливом термовідпалів [Текст] / Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 6. - С. 58-66. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках Кл.слова (ненормовані): Дефект -- Гратка -- Домішка -- Миш'як -- Легування сильне Анотація: Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>12. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Гайдар, Г. П. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський> // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 5. - С. 45-50. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем Напівпровідники--анізотропні --Термоелектричні ефекти Фізика--Термоелектрика--Матеріалознавство Кл.слова (ненормовані): Час релаксації -- Кремній -- Германій -- Формула Писаренка Анотація: При Т=85 К на кристалах кремнію та германію досліджено концентраційні залежності параметрів анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами.
Дод.точки доступу: Баранський, П. І. Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>13. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Беспалова, Наталья. "Квантовый конструктор" Жореса Алферова [Текст] / Наталья Беспалова, Анатолий Цыбулько> // Наука и техника. - 2019. - № 4. - С. 19-21 : фот. цв.
Рубрики: Квантова фізика--Видатні вчені Кл.слова (ненормовані): електронна техніка -- напівпровідники -- транзистор Анотація: Первого марта 2019 г. ушел из жизни выдающийся ученый Жорес Иванович Алферов - лауреат Нобелевской премии по физике за 2000 г. Автор статьи рассказывает о жизни и деятельности этого знаменитого ученого.
Дод.точки доступу: Цыбулько, Анатолий; Алферов, Ж. И. (Лауреат Нобелевской премии по физике за 2000 год ; (1930-2019)) Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>14. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Баранський, П. І. Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 31.2 Рубрики: Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Фонон -- Еліпсоїд ізоенергетичний -- Симетрія кубічна -- Термоерс електронна -- Термоерс фононна -- Розсіяння фононів Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому і в сильно деформованому кристалі з поперечною фононною компонентою.
Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>15. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Баранський, П. І. Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 22.3 Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках Електроніка--Електронні напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Рухливість -- Напівпровідник багатодолинний -- Нанофізика параметрів -- Кремній -- Дефекти -- Розсіювання
Дод.точки доступу: Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П. Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>16. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Вплив полімерної матриці на властивості напівпровідникових кластерів CdS [Текст] / С. В. Токарєв [та ін.]> // Доповіді Національної академії наук України. - 2011. - № 12. - С. 58-65. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 31.2 Рубрики: Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники Енергетика--Альтернативні джерела енергії--Сонячна енергія Кл.слова (ненормовані): Сонячний елемент -- Шар прозорий -- Вікно -- Шлях оптичний -- Поглинання оптичне -- Ефект квантово-розмірний Анотація: Розглянуто вплив будови полімерної матриці на властивості вбудованих у неї напівпровідникових кластерів. Встановлено існування в одному зразку декількох груп кластерів та визначено їх розміри за результатами аналізу кривих оптичного поглинання.
Дод.точки доступу: Токарєв, С. В.; Ільчук, Г. А.; Кусьнеж, В. В.; Шевчук, О. М.; Долинська, Л. В.; Токарев, В. С. Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>17. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
| 22 К 93
Курик, М. В. Органічні напівпровідники - основа сучасної намофотоелектроніки [Текст] / М.В. Курик> // Трибуна. - 2009. - N 7/8. - С. 26-27
ББК 22
Кл.слова (ненормовані): фізика -- електронні схеми -- крестали Анотація: Вивчення фізичних властивостей органичних напівпровідників.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>18. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
| 72 М 37
Мачулін, В. Напівпровідники в усіх вимірах. Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Ларшарьова НАН України - 50 років! [Текст] / В. Мачулін> // Вісник Нацiональної академiї наук України. - 2010. - N 10. - С. 42-46.
. - ISSN 0372-6436ББК 72
Кл.слова (ненормовані): ІБВ -- вчені -- наука
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДГН (1) Вільні: ВДГН (1)
Знайти схожі
|
>19. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Ковальченко, А. М. Исследования пластичного режима резания хрупких материалов (обзор) [Текст] / А. М. Ковальченко> // Сверхтвёрдые материалы. - 2013. - № 5 . - С. 3-28 : рис. - Библиогр.: с. 22-28
. - ISSN 0203-3119 Рубрики: Обробка різанням Кл.слова (ненормовані): фазові перетворення під тиском -- пластичний режим різання -- напівпровідники -- кераміка -- скло
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
>20. ![](/irbis64r_12/images/printer.jpg)
|
Гайдар, Г. П. Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський> // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 6. - С. 68-73. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 22.3 Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Пружність і деформація Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури Електронні напівпровідники--Електронні властивості Кл.слова (ненормовані): Германій -- Тензоопір -- Зона провідності -- Шкала енергій -- Дослід Сміта Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною.
Дод.точки доступу: Баранський, П. І. Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1) Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
|
|