Авторизація
Прізвище
Пароль  
Увійти
 

Вид пошуку
 
Стандартний
Розширений
Професійний
Розподілений
За словником

Бази даних


Електронна картотека аналітичного опису статей - результати пошуку

Електронний каталог книг
Електронна картотека аналітичного опису статей
Зведений краєзнавчий каталог Чернігівщини
Електронна бібліотека
Електронний каталог відділу мистецтв (ноти, диски, грамплатівки)
Електронний каталог книг іноземними мовами
Друковані ЗМІ про нас
Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повний інформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>S=Електрична енергія -- Передача електричної енергії -- Напівпровідники<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 2
Показані документи с 1 за 2
1.

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Токарєв С. В., Ільчук Г. А., Кусьнеж В. В., Шевчук О. М., Долинська Л. В., Токарев В. С.
Назва : Вплив полімерної матриці на властивості напівпровідникових кластерів CdS
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2011. - № 12. - С.58-65 (Шифр Д134480/2011/12)
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
ББК : 31.2
Предметні рубрики: Електрична енергія-- Передача електричної енергії-- Напівпровідники
Енергетика-- Альтернативні джерела енергії-- Сонячна енергія
Ключові слова (''Вільн.індекс.''): сонячний елемент--шар прозорий--вікно--шлях оптичний--поглинання оптичне--ефект квантово-розмірний
Анотація: Розглянуто вплив будови полімерної матриці на властивості вбудованих у неї напівпровідникових кластерів. Встановлено існування в одному зразку декількох груп кластерів та визначено їх розміри за результатами аналізу кривих оптичного поглинання.
Знайти схожі
2.

Форма документа : Стаття із журналу
Шифр видання :
Автор(и) : Баранський П. І., Гайдар Г. П.
Назва : Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках
Місце публікування : Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С.64-69 (Шифр Д134480/2012/10)
Примітки : Бібліогр. в кінці ст.
ББК : 31.2
Предметні рубрики: Електрична енергія-- Передача електричної енергії-- Напівпровідники
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому і в сильно деформованому кристалі з поперечною фононною компонентою.
Знайти схожі
 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)