Пошуковий запит: (<.>K=НАПІВПРОВІДНИКИ<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 24
Показані документи с 1 за 20 |
|
1. 
| 22
К 93
Курик, М. В.
Органічні напівпровідники - основа сучасної намофотоелектроніки [Текст] / М.В. Курик // Трибуна. - 2009. - N 7/8. - С. 26-27
ББК 22
Кл.слова (ненормовані):
фізика -- електронні схеми -- крестали
Анотація: Вивчення фізичних властивостей органичних напівпровідників.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
2.
| 72
М 37
Мачулін, В.
Напівпровідники в усіх вимірах. Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Ларшарьова НАН України - 50 років! [Текст] / В. Мачулін // Вісник Нацiональної академiї наук України. - 2010. - N 10. - С. 42-46.
. - ISSN 0372-6436ББК 72
Кл.слова (ненормовані):
ІБВ -- вчені -- наука
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДГН (1)
Вільні: ВДГН (1)
Знайти схожі
|
3.
|
Хмара, В. А.
Пробник диодов [Текст] / В. А. Хмара // Радіоаматор. - 2011. - №4 . - С. 47-50 : рис.
Рубрики: Діоди
Кл.слова (ненормовані):
напівпровідники -- індикатор -- світлодіод
Анотація: Эта разработка была выполнена в кружке радиоконструирования Житомирского городского центра научно-технического творчества учащейся молодежи, как решение одной из семнадцати задач ХIII Всеукраинского открытого турнира юных изобретателей и рационализаторов 2010г. Статья будет полезна руководителям радиокружков и начинающим радиолюбителям.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
4.
|
Вплив полімерної матриці на властивості напівпровідникових кластерів CdS [Текст] / С. В. Токарєв [та ін.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2011. - № 12. - С. 58-65. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 31.2
Рубрики: Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники
Енергетика--Альтернативні джерела енергії--Сонячна енергія
Кл.слова (ненормовані):
Сонячний елемент -- Шар прозорий -- Вікно -- Шлях оптичний -- Поглинання оптичне -- Ефект квантово-розмірний
Анотація: Розглянуто вплив будови полімерної матриці на властивості вбудованих у неї напівпровідникових кластерів. Встановлено існування в одному зразку декількох груп кластерів та визначено їх розміри за результатами аналізу кривих оптичного поглинання.
Дод.точки доступу:
Токарєв, С. В.; Ільчук, Г. А.; Кусьнеж, В. В.; Шевчук, О. М.; Долинська, Л. В.; Токарев, В. С.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
5.
|
Баранський, П. І.
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 31.2
Рубрики: Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Фонон -- Еліпсоїд ізоенергетичний -- Симетрія кубічна -- Термоерс електронна -- Термоерс фононна -- Розсіяння фононів
Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому і в сильно деформованому кристалі з поперечною фононною компонентою.
Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
6.
|
Васильев, И.
Мощные высоковольтные полупроводники от IXYS в SMD-корпусах [Текст] / Игорь Васильев // Радіоаматор. - 2013. - № 6. - С. 27 : рис.
Рубрики: Електронні пристрої
Кл.слова (ненормовані):
напівпровідникові прилади -- силові напівпровідники -- електронні компоненти
Анотація: IXYS Corporation, лидер в производстве силовых полупроводников и IC-технологии для энергоэффективных продуктов, используемых в сфере преобразования энергии и устройствах управления электродвигателями, объявил о запуске изделий в корпусах с более высоким током утечки D2-Pak (TO-263) и D3-Pak (TO-268). Что позволяет использовать компоненты для поверхностного монтажа (SMD) в силовых полупроводниковых приборах с более высоким напряжением.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
7.
|
Баранський, П. І.
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 22.3
Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Електроніка--Електронні напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Рухливість -- Напівпровідник багатодолинний -- Нанофізика параметрів -- Кремній -- Дефекти -- Розсіювання
Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
8.
|
Ковальченко, А. М.
Исследования пластичного режима резания хрупких материалов (обзор) [Текст] / А. М. Ковальченко // Сверхтвёрдые материалы. - 2013. - № 5 . - С. 3-28 : рис. - Библиогр.: с. 22-28
. - ISSN 0203-3119
Рубрики: Обробка різанням
Кл.слова (ненормовані):
фазові перетворення під тиском -- пластичний режим різання -- напівпровідники -- кераміка -- скло
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
9.
|
Електронний стан атомів кисню в ядрі дислокації в кремнії [Текст] / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай, Т. В. Волкова // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 11. - С. 90-95. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
Напівпровідники--Електронні напівпровідники--Дефекти
Кл.слова (ненормовані):
Надкомірка -- Метод Чохральського -- Момент магнітний
Анотація: Електронний спектр надкомірки 64 атомів Si, що містить дилокований атом О в міжвузловому положенні, розрахований методом функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні. Обговорюються зміни густини електронних станів, а також можливість формування магнітних моментів на дислокаційних обірваних зв'язків.
Дод.точки доступу:
Плющай, І. В.; Макара, В. А.; Плющай, О. І.; Волкова, Т. В.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
10.
|
Баранський, П. І.
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 22.3
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
Електроніка--Електронні напівпровідники
Фізика--Термоелектрика
Кл.слова (ненормовані):
Трансмутація ядерна -- Нейтрон тепловий -- Дефект радіаційний -- Легування -- Фосфор
Анотація: Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється.
Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.
Знайти схожі
|
11.
|
Савкіна, Р. К.
Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті [Текст] / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 7. - С. 70-78. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури і перетворення--Кристалічні та інші структури
Електроніка--Електронні напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Ультразвук -- Кавітація акустична -- Тиск акустичний -- Оптоелектроніка -- Рідина кріогенна
Анотація: Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів ультразвуком, енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості.
Дод.точки доступу:
Смірнов, О. Б.
Знайти схожі
|
12.
|
Гайдар, Г. П.
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 6. - С. 68-73. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 22.3
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Пружність і деформація
Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
Електронні напівпровідники--Електронні властивості
Кл.слова (ненормовані):
Германій -- Тензоопір -- Зона провідності -- Шкала енергій -- Дослід Сміта
Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною.
Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
13.
|
Федосеев, В. Г.
Безшатунний тепловий насос [Текст] / В. Г. Федосеев // Винахідник і раціоналізатор. - 2015. - № 4. - С. 20-21
Рубрики: Насоси
Холодильні установки
Джерела енергії
Кл.слова (ненормовані):
ДВИГУН -- НАПІВПРОВІДНИКИ -- кріокулер
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
14.
|
Васильев, Игорь.
Новые IGBT для аппаратов аргонодуговой сварки и не только [Текст] / И. Васильев // Радиоаматор. - 2016. - № 7/8. - С. 27 : фот.
Рубрики: Зварювання--Інтегральні мікросхеми--Напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
інтегральні схеми -- резистори -- діоди -- транзистори
Анотація: В этой статье представлены модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), которые рассчитаны, в первую очередь, на применение в схемах современных аппаратов аргонодуговой (TIG) сварки.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
15.
|
Кашкаров, Андрей.
Тензорезисторы [Текст] / Андрей Кашкаров // Радиоаматор. - 2016. - № 11/12. - С. 14-17 : рис.
Рубрики: Радіоелектронна апаратура
Кл.слова (ненормовані):
напівпровідники -- давачі -- перетворювачі частоти
Анотація: В статье рассматриваются конструктивные особенности и основные параметры такого датчика для измерения величины механической деформации, как тензорезисторы.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
16.
|
Шерстюк, Николай.
Однопереходной транзистор [Текст] / Николай Шерстюк, Игорь Безверхний // Радиоаматор. - 2017. - № 2. - С. 32-35 : рис.
Рубрики: Радіоелектронна апаратура--Транзистори
Кл.слова (ненормовані):
тиристори -- конденсатори -- напівпровідники
Анотація: Однопереходные транзисторы в 60-80-е годы прошлого века использовались в импульсной и измерительной технике. Позже они начали вытесняться более современными электронными компонентами и схемотехническими решениями. Авторы статьи надеются, что их статья восполнит этот пробел у начинающих радиолюбителей и напомнит более опытным коллегам о существовании этих приборов.
Дод.точки доступу:
Безверхний, Игорь
Є примірники у відділах:
всього 2 : ВА (1), ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВА (1), ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
17.
|
Казаков, Анатолий.
Моделирование областей сосуществования фаз в твердых растворах In x Ga 1-x AsyP 1-y с использованием различных термодинамических моделей [Текст] / А. Казаков, Г. Шаповалов // Технічні науки та технології : науковий журнал. - 2016. - № 3. - С. 96-103 : рис. - Библиогр.: с. 101-103
. - ISSN 2411-5363
Рубрики: Зварювання--Комп"ютерне моделювання
Кл.слова (ненормовані):
вільна енергія -- модульовані структури -- напівпровідники
Дод.точки доступу:
Шаповалов, Геннадий
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
18.
|
Радченко, А. І.
Революційні інновації у світі (за даними звіту медіакомпанії Thomson Reuters, 2016 р.) [Текст] / А. І. Радченко // Наука та інновації. - 2016. - № 6. - С. 69-74
Рубрики: Аерокосмічна і оборонна промисловість--Автомобільна промисловість--Біотехнології--Косметика і здоров'я
Харчова промисловість--Побутова техніка--Інформаційні технології--Медичне обладнання
Нафта і газ--Фармацевтика--Напівпровідники--телекомунікації
Анотація: У цьогорічному звіті наведено порівняння кількості публікацій та патентів 2015 і 2014 рр., вказано тенденцію за останні 7 років
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
19.
|
Гайдар, Г. П.
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 5. - С. 45-50. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем
Напівпровідники--анізотропні --Термоелектричні ефекти
Фізика--Термоелектрика--Матеріалознавство
Кл.слова (ненормовані):
Час релаксації -- Кремній -- Германій -- Формула Писаренка
Анотація: При Т=85 К на кристалах кремнію та германію досліджено концентраційні залежності параметрів анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами.
Дод.точки доступу:
Баранський, П. І.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
20.
|
Сафонов, Андрей
Высококачественный УМЗЧ типа цирклотрон [Текст] / Андрей Сафонов // Радиоаматор. - 2018. - № 1/2. - С. 6-9 : рис.
Рубрики: Відеотехніка--Звукотехніка
Радіоапаратура--Електронна апаратура
Кл.слова (ненормовані):
напівпровідники -- підсилювачі -- транзистори -- трансформатори
Анотація: В статье описывается УМЗЧ, который относится к классу так называемых "цирклотронов" - симметрических усилителей с выходным каскадом на элементах одного типа проводимости. В данном случае УМЗЧ выполнен на основе полевых транзисторов с горизонтальной структурой.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
|
|
|
|
Стандартний
Електронний каталог книг