Авторизація
Прізвище
Пароль  
Увійти
 

Вид пошуку
 
Стандартний
Розширений
Професійний
Розподілений
За словником

Бази даних


Електронна картотека аналітичного опису статей - результати пошуку

Електронний каталог книг
Електронна картотека аналітичного опису статей
Зведений краєзнавчий каталог Чернігівщини
Електронна бібліотека
Електронний каталог відділу мистецтв (ноти, диски, грамплатівки)
Електронний каталог книг іноземними мовами
Друковані ЗМІ про нас
Зона пошуку
Формат представлення знайдених документів:
повнийінформаційнийкороткий
Відсортувати знайдені документи за:
авторомназвоюроком виданнятипом документа
Пошуковий запит: (<.>S=Фізика -- Фізика конденсованої матерії -- Процеси переносу -- Електронні процеси переносу<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Показані документи с 1 за 3
1.


   
    Электронно-энергетический ландшафт валентных электронов арсенатных апатитов кальция и кадмия [Текст] / В. Л. Карбовский, А. П. Сорока, В. Х. Касияненко, А. П. Шпак // Доповіді Національної академії наук України. - 2011. - № 5. - С. 99-107. - Библиогр. в конце ст. - немає в фондах ОУНБ
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
Кл.слова (ненормовані):
Апатит арсенантный -- Полоса валентная -- Плотность электронная -- Электроны валентные
Анотація: Досліджено електронну будову сполук, поведінку електронної густини в просторі координат цих сполук.


Дод.точки доступу:
Карбовский, В. Л.; Сорока, А. П.; Касияненко, В. Х.; Шпак , А. П.

Знайти схожі
2.


   
    Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію [Текст] / І. М. Вишневський [та ін.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 3. - С. 92-98. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 22.3
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
   Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки
Кл.слова (ненормовані):
Дефект -- Дефект Шоткі -- Пара Френеля -- Атом проникнення -- Вакансія -- Дивакансія -- Енергія утворення
Анотація: Застосовано метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фосфіду галію: порогової енергії утворення дефекту, енергії утворення вакансії, дивакансії, вакансійних пустот, атомів проникнення та антиструктурних дефектів.


Дод.точки доступу:
Вишневський, І. М.; Гонтарук, О. М.; Конорева, О. В.; Литовченко, П. Г.; Манжара, В. С.; Пінковська, М. Б.; Тартачник, В. П.

Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)

Знайти схожі
3.


    Баранський, П. І.
    Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 22.3
Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
   Електроніка--Електронні напівпровідники
   Фізика--Термоелектрика
Кл.слова (ненормовані):
Трансмутація ядерна -- Нейтрон тепловий -- Дефект радіаційний -- Легування -- Фосфор
Анотація: Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється.


Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.

Знайти схожі
 
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)