Головна
Шановні користувачі!
Чернігівська ОУНБ ім. Софії та Олександра Русових проводить роботу відповідно до
Рекомендацій Міністерства культури та інформаційної політики України
щодо актуалізації бібліотечних фондів у зв'язку зі збройною агресією російської федерації проти України.
Авторизація
Прізвище
Пароль
Увійти
 
Вид пошуку
 
Стандартний
Розширений
Професійний
Розподілений
За словником
Бази даних
Електронна картотека аналітичного опису статей - результати пошуку
Електронний каталог книг
Електронна картотека аналітичного опису статей
Зведений краєзнавчий каталог Чернігівщини
Електронна бібліотека
Електронний каталог відділу мистецтв (ноти, диски, грамплатівки)
Електронний каталог книг іноземними мовами
Друковані ЗМІ про нас
Зона пошуку
Ключові слова
Автор
Назва
Рік видання
Формат представлення знайдених документів:
повний
інформаційний
короткий
Відсортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
типом документа
Пошуковий запит:
(<.>S=Електроніка -- Електронні напівпровідники<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
5
Показані документи
с 1 за 5
>
1.
Баранський, П. І.
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. -
№ 9
. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК
22.3
Рубрики:
Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Електроніка
--
Електронні
напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Рухливість
--
Напівпровідник багатодолинний
--
Нанофізика параметрів
--
Кремній
--
Дефекти
--
Розсіювання
Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
>
2.
Баранський, П. І.
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. -
№ 5
. - С. 70-75. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК
22.3
Рубрики:
Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--
Електронні
процеси переносу
Електроніка
--
Електронні
напівпровідники
Фізика--Термоелектрика
Кл.слова (ненормовані):
Трансмутація ядерна
--
Нейтрон тепловий
--
Дефект радіаційний
--
Легування
--
Фосфор
Анотація:
Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється.
Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.
Знайти схожі
>
3.
Савкіна, Р. К.
Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті [Текст] / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов> // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. -
№ 7
. - С. 70-78. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики:
Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури і перетворення--Кристалічні та інші структури
Електроніка
--
Електронні
напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Ультразвук
--
Кавітація акустична
--
Тиск акустичний
--
Опто
електроніка
--
Рідина кріогенна
Анотація:
Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів ультразвуком, енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості.
Дод.точки доступу:
Смірнов, О. Б.
Знайти схожі
>
4.
Гайдар, Г. П.
Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge As під впливом термовідпалів [Текст] / Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2018. -
№ 6
. - С. 58-66. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики:
Електроніка
--
Електронні
напівпровідники
Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Кл.слова (ненормовані):
Дефект
--
Гратка
--
Домішка
--
Миш'як
--
Легування сильне
Анотація:
Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
>
5.
Гайдар, Г. П.
До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристографічних напрямках 110 [Текст] / Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2019. -
№ 5
. - С. 67-74. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики:
Електроніка
--
Електронні
напівпровідники
Кристалографія--Кристалічні грати
Кл.слова (ненормовані):
Тиск гідростатичний
--
Германій
--
Кремній
--
Велетроніка
Анотація:
У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розрахувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
повний формат
короткий формат
всі знайдені
відмічені
окрім відмічених
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)