Головна
Шановні користувачі!
Чернігівська ОУНБ ім. Софії та Олександра Русових проводить роботу відповідно до
Рекомендацій Міністерства культури та інформаційної політики України
щодо актуалізації бібліотечних фондів у зв'язку зі збройною агресією російської федерації проти України.
Авторизація
Прізвище
Пароль
Увійти
 
Вид пошуку
 
Стандартний
Розширений
Професійний
Розподілений
За словником
Бази даних
Електронна картотека аналітичного опису статей - результати пошуку
Електронний каталог книг
Електронна картотека аналітичного опису статей
Зведений краєзнавчий каталог Чернігівщини
Електронна бібліотека
Електронний каталог відділу мистецтв (ноти, диски, грамплатівки)
Електронний каталог книг іноземними мовами
Друковані ЗМІ про нас
Зона пошуку
Ключові слова
Автор
Назва
Рік видання
Формат представлення знайдених документів:
повний
інформаційний
короткий
Відсортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
типом документа
Пошуковий запит:
(<.>A=Прохоров, Э. Д.$<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
2
Показані документи
с 1 за 2
>
1.
Прохоров
, Э. Д.
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs [Текст] / Э. Д.
Прохоров
, О. В. Боцула, О. А. Клименко> // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. -
№ 4
. - С. 75-80. - Библиогр. в конце ст.
ББК
3
Рубрики:
Електроніка та радіотехніка--Напівпровідникові пристрої--Напівпровідникові діоди--Тунельні діоди
Кл.слова (ненормовані):
Сэндвич
--
Проводимость диференциальная
--
Зона генерации
Анотація:
Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу "сендвіч" на основі GaAs. Показано, як впливає міждолинне перенесення електронів в областях, прилеглих до тунельної межі, на ефективність генерації діодів у діапазоні частот.
Дод.точки доступу:
Боцула, О. В.; Клименко, О. А.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
>
2.
Прохоров
, Э. Д.
Эффективность генерации планарных диодов n
+
-n-n
+
с туннельными границами [Текст] / Э. Д.
Прохоров
, О. В. Боцула, О. А. Реутина> // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. -
№ 3
. - С. 82-89. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК
32
Рубрики:
Електроніка та радіотехніка--Напівпровідникові пристрої--Напівпровідникові діоди
Кл.слова (ненормовані):
Сэндвич
--
Проводимость дифференциальная
--
Насыщение
--
Скорость дрейфовая
Анотація:
Показано, що діоди з тунельними або резонансно-тунельними бічними межами мають негативну диференціальну провідність у широкому діапазоні частот мм-діапазону і можуть бути використані для генерації і посилення.
Дод.точки доступу:
Боцула, О. В.; Реутина, О. А.
Знайти схожі
повний формат
короткий формат
всі знайдені
відмічені
окрім відмічених
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)