Головна
Шановні користувачі!
Чернігівська ОУНБ ім. Софії та Олександра Русових проводить роботу відповідно до
Рекомендацій Міністерства культури та інформаційної політики України
щодо актуалізації бібліотечних фондів у зв'язку зі збройною агресією російської федерації проти України.
Авторизація
Прізвище
Пароль
Увійти
 
Вид пошуку
 
Стандартний
Розширений
Професійний
Розподілений
За словником
Бази даних
Електронна картотека аналітичного опису статей - результати пошуку
Електронний каталог книг
Електронна картотека аналітичного опису статей
Зведений краєзнавчий каталог Чернігівщини
Електронна бібліотека
Електронний каталог відділу мистецтв (ноти, диски, грамплатівки)
Електронний каталог книг іноземними мовами
Друковані ЗМІ про нас
Зона пошуку
Ключові слова
Автор
Назва
Рік видання
Знайдено у інших БД:
Електронний каталог книг (1)
Формат представлення знайдених документів:
повний
інформаційний
короткий
Відсортувати знайдені документи за:
автором
назвою
роком видання
типом документа
Пошуковий запит:
(<.>A=Баранський, П. І.$<.>)
Загальна кількість знайдених документів
:
5
Показані документи
с 1 за 5
>
1.
Баранський
, П. І.
Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках [Текст] / П. І.
Баранський
, Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. -
№ 10
. - С. 64-69. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК
31.2
Рубрики:
Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Фонон
--
Еліпсоїд ізоенергетичний
--
Симетрія кубічна
--
Термоерс електронна
--
Термоерс фононна
--
Розсіяння фононів
Анотація:
Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому і в сильно деформованому кристалі з поперечною фононною компонентою.
Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
>
2.
Баранський
, П. І.
Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І.
Баранський
, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. -
№ 9
. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК
22.3
Рубрики:
Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках
Електроніка--Електронні напівпровідники
Кл.слова (ненормовані):
Рухливість
--
Напівпровідник багатодолинний
--
Нанофізика параметрів
--
Кремній
--
Дефекти
--
Розсіювання
Дод.точки доступу:
Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
>
3.
Баранський
, П. І.
Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si [Текст] / П. І.
Баранський
, Г. П. Гайдар> // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. -
№ 5
. - С. 70-75. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК
22.3
Рубрики:
Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу
Електроніка--Електронні напівпровідники
Фізика--Термоелектрика
Кл.слова (ненормовані):
Трансмутація ядерна
--
Нейтрон тепловий
--
Дефект радіаційний
--
Легування
--
Фосфор
Анотація:
Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється.
Дод.точки доступу:
Гайдар, Г. П.
Знайти схожі
>
4.
Гайдар, Г. П.
Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І.
Баранський
> // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. -
№ 6
. - С. 68-73. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК
22.3
Рубрики:
Фізика--Фізична природа матерії--Пружність і деформація
Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури
Електронні напівпровідники--Електронні властивості
Кл.слова (ненормовані):
Германій
--
Тензоопір
--
Зона провідності
--
Шкала енергій
--
Дослід Сміта
Анотація:
На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною.
Дод.точки доступу:
Баранський
, П. І.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
>
5.
Гайдар, Г. П.
Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І.
Баранський
> // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. -
№ 5
. - С. 45-50. - Бібліогр. в кінці ст.
Рубрики:
Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем
Напівпровідники--анізотропні --Термоелектричні ефекти
Фізика--Термоелектрика--Матеріалознавство
Кл.слова (ненормовані):
Час релаксації
--
Кремній
--
Германій
--
Формула Писаренка
Анотація:
При Т=85 К на кристалах кремнію та германію досліджено концентраційні залежності параметрів анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами.
Дод.точки доступу:
Баранський
, П. І.
Є примірники у відділах:
всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)
Знайти схожі
повний формат
короткий формат
всі знайдені
відмічені
окрім відмічених
© Міжнародна Асоціація користувачів і розробників електронних бібліотек і нових інформаційних технологій
(Асоціація ЕБНІТ)