Баранський, П. І. Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках Електроніка--Електронні напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Рухливість -- Напівпровідник багатодолинний -- Нанофізика параметрів -- Кремній -- Дефекти -- Розсіювання Дод.точки доступу: Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П. Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1) |
Баранський, П. І. Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу Електроніка--Електронні напівпровідники Фізика--Термоелектрика Кл.слова (ненормовані): Трансмутація ядерна -- Нейтрон тепловий -- Дефект радіаційний -- Легування -- Фосфор Анотація: Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється. Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. |
Савкіна, Р. К. Ефект наноструктурування Si та GaAs шляхом кавітаційної обробки в рідкому азоті [Текст] / Р. К. Савкіна, О. Б. Смірнов // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 7. - С. 70-78. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури і перетворення--Кристалічні та інші структури Електроніка--Електронні напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Ультразвук -- Кавітація акустична -- Тиск акустичний -- Оптоелектроніка -- Рідина кріогенна Анотація: Встановлено, що обробка напівпровідникових кристалів ультразвуком, енергія якого концентрується в кавітаційних порожнинах кріогенної рідини, призводить до наноструктурування їх поверхні та розширення діапазону фоточутливості. Дод.точки доступу: Смірнов, О. Б. |
Гайдар, Г. П. Зміна електрофізичних властивостей сильно легованих монокристалів n-Ge As під впливом термовідпалів [Текст] / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2018. - № 6. - С. 58-66. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках Кл.слова (ненормовані): Дефект -- Гратка -- Домішка -- Миш'як -- Легування сильне Анотація: Встановлено особливості змін електрофізичних параметрів та мікроструктури легованих домішкою миш'яку монокристалів, які відбувалися при термовідпалах у широкому інтервалі температур. Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1) |
Гайдар, Г. П. До методології визначення тензоопору n-Ge та n-Si у кристографічних напрямках 110 [Текст] / Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2019. - № 5. - С. 67-74. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Електроніка--Електронні напівпровідники Кристалографія--Кристалічні грати Кл.слова (ненормовані): Тиск гідростатичний -- Германій -- Кремній -- Велетроніка Анотація: У рамках теорії анізотропного розсіяння для багатодолинних напівпровідників одержано корисні для практичного застосування вирази, які дають змогу розрахувати значення тензоопору в насиченні для кристалографічних напрямків. Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1) |