Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію [Текст] / І. М. Вишневський [та ін.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 3. - С. 92-98. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем--Дефекти та домішки Кл.слова (ненормовані): Дефект -- Дефект Шоткі -- Пара Френеля -- Атом проникнення -- Вакансія -- Дивакансія -- Енергія утворення Анотація: Застосовано метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фосфіду галію: порогової енергії утворення дефекту, енергії утворення вакансії, дивакансії, вакансійних пустот, атомів проникнення та антиструктурних дефектів. Дод.точки доступу: Вишневський, І. М.; Гонтарук, О. М.; Конорева, О. В.; Литовченко, П. Г.; Манжара, В. С.; Пінковська, М. Б.; Тартачник, В. П. Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1) |