Дегібридизація в сполуках RAl[[d]]2[[/d]]Si[[d]]2[[/d]] [Текст] / П. К. Ніколюк, А. В. Ющенко, В. А. Стасенко, В. Я. Ніколайчук // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 83-86. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури Кл.слова (ненормовані): Зміщення енергетичне -- Конфігурація електронна -- Електровід'ємність -- Дефект електронний Анотація: Показано фізичну природу виникнення ?-подібного піка, величина якого пропорційна кількості вузлів (N), утворених структурними елементами R-Si. Проведені експериментальні та теоретичні дослідження показали високу ступінь кореляції та самоузгодженості, що дозволяє розглядати атомні зв'язки R-Si як своєрідні електронні дефекти. Дод.точки доступу: Ніколюк, П. К.; Ющенко, А. В.; Стасенко, В. А.; Ніколайчук, В. Я. |