Эффект отрицательной фотопроводимости в пленках полимерного диэлектрика, содержащих разнометаллический комплекс Mn[[p]]III[[/p]]/Cd [Текст] / Н. А. Давиденко [и др.] // Доповіді Національної академії наук України. - 2011. - № 11. - С. 120-125. - Библиогр. в конце ст.
ББК 32.85+22.3
Рубрики: Електроніка та радіотехніка--Джерела та приймачі випромінювання--Фотоприймачі
   Фізика--Фізична природа матерії--Плівки

   Фізика--Електричний струм

   Хімія--Полімери

Кл.слова (ненормовані):
Поливинилбутираль -- Фрагмент биядерный -- Композит полимерный -- Сэндвич-структура
Анотація: Запропоновано феноменологічну модель, яка припускає нагромадження об'ємного заряду з нерівноважних носіїв струму біядерниим фрагментами та його вплив на електропровідність плівок.


Дод.точки доступу:
Давиденко, Н. А.; Давиденко, И. И.; Кокозей, В. Н.; Студзинский, С. Л.; Маханькова, В. Г.; Тонкопиева, Л. С.; Чигорин, Э. Н.




    Прохоров, Э. Д.
    Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs [Текст] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Клименко // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 4. - С. 75-80. - Библиогр. в конце ст.
ББК 3
Рубрики: Електроніка та радіотехніка--Напівпровідникові пристрої--Напівпровідникові діоди--Тунельні діоди
Кл.слова (ненормовані):
Сэндвич -- Проводимость диференциальная -- Зона генерации
Анотація: Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу "сендвіч" на основі GaAs. Показано, як впливає міждолинне перенесення електронів в областях, прилеглих до тунельної межі, на ефективність генерації діодів у діапазоні частот.


Дод.точки доступу:
Боцула, О. В.; Клименко, О. А.

Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1)
Вільні: ВДЕТПСГН (1)





    Прохоров, Э. Д.
    Эффективность генерации планарных диодов n[[p]]+[[/p]]-n-n[[p]]+[[/p]] с туннельными границами [Текст] / Э. Д. Прохоров, О. В. Боцула, О. А. Реутина // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 3. - С. 82-89. - Бібліогр. в кінці ст.
ББК 32
Рубрики: Електроніка та радіотехніка--Напівпровідникові пристрої--Напівпровідникові діоди
Кл.слова (ненормовані):
Сэндвич -- Проводимость дифференциальная -- Насыщение -- Скорость дрейфовая
Анотація: Показано, що діоди з тунельними або резонансно-тунельними бічними межами мають негативну диференціальну провідність у широкому діапазоні частот мм-діапазону і можуть бути використані для генерації і посилення.


Дод.точки доступу:
Боцула, О. В.; Реутина, О. А.