Баранський, П. І. Визначення параметра анізотропії термоерс захоплення в багатодолинних напівпровідниках [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2012. - № 10. - С. 64-69. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Електрична енергія--Передача електричної енергії--Напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Фонон -- Еліпсоїд ізоенергетичний -- Симетрія кубічна -- Термоерс електронна -- Термоерс фононна -- Розсіяння фононів Анотація: Розглянуто один із способів визначення параметра анізотропії термоерс захоплення електронів фононами у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому і в сильно деформованому кристалі з поперечною фононною компонентою. Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1) |
Баранський, П. І. Концентраційна залежність тензоопору монокристалів n-Si [Текст] / П. І. Баранський, В. М. Бабич, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2013. - № 9. - С. 87-92. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Електрика та магнетизм--Електричний струм--Провідність у напівпровідниках Електроніка--Електронні напівпровідники Кл.слова (ненормовані): Рухливість -- Напівпровідник багатодолинний -- Нанофізика параметрів -- Кремній -- Дефекти -- Розсіювання Дод.точки доступу: Бабич, В. М.; Гайдар, Г. П. Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1) |
Баранський, П. І. Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами в n-Si [Текст] / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доповіді Національної академії наук України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізика конденсованої матерії--Процеси переносу--Електронні процеси переносу Електроніка--Електронні напівпровідники Фізика--Термоелектрика Кл.слова (ненормовані): Трансмутація ядерна -- Нейтрон тепловий -- Дефект радіаційний -- Легування -- Фосфор Анотація: Показано, що в кристалах кремнію, легованих фосфором через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами, тоді як у трансмутаційно легованих зразках цей параметр зростає приблизно в півтора рази. Водночас, анізотропія рухливості практично не змінюється. Дод.точки доступу: Гайдар, Г. П. |
Гайдар, Г. П. Експериментальний доказ незмінності форми ізоенергетичних еліпсоїдів n-Ge в умовах сильної одновісної пружної деформації [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2015. - № 6. - С. 68-73. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Пружність і деформація Фізика--Фізика конденсованої матерії--Структури й перетворення--Електронні стани та електронні структури Електронні напівпровідники--Електронні властивості Кл.слова (ненормовані): Германій -- Тензоопір -- Зона провідності -- Шкала енергій -- Дослід Сміта Анотація: На зразках n-Ge одержано експериментальний доказ того, що в умовах сильної направленої пружної деформації відбувається лише відносне зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у шкалі енергій, однак форма еліпсоїдів залишається при цьому незмінною. Дод.точки доступу: Баранський, П. І. Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1) |
Гайдар, Г. П. Залежність параметра анізотропії термо-ЕРС захоплення від концентрації домішок у кристалах n-Ge та n-Si [Текст] / Г. П. Гайдар, П. І. Баранський // Доповіді Національної академії наук України. - 2017. - № 5. - С. 45-50. - Бібліогр. в кінці ст. Рубрики: Фізика--Фізична природа матерії--Властивості та структура молекулярних систем Напівпровідники--анізотропні --Термоелектричні ефекти Фізика--Термоелектрика--Матеріалознавство Кл.слова (ненормовані): Час релаксації -- Кремній -- Германій -- Формула Писаренка Анотація: При Т=85 К на кристалах кремнію та германію досліджено концентраційні залежності параметрів анізотропії термо-ЕРС захоплення електронів фононами. Дод.точки доступу: Баранський, П. І. Є примірники у відділах: всього 1 : ВДЕТПСГН (1) |